AI칩 위에 HBM 쌓는다…삼성전자, 판도 뒤엎을 차세대 기술 공개 [지금이뉴스] / YTN

삼성전자가 인공지능(AI) 반도체의 성능과 전력 효율 한계 돌파를 위해 AI 칩 상단에 메모리를 수직으로 쌓는 차세대 아키텍처를 내놨습니다.

김경륜 삼성전자 D램개발실 상무는 4일(현지시간) 미국 캘리포니아주 샌타클래라컨벤션센터에서 열린 메모리 행사 `FMS 2026`에서 진행한 기조발표를 통해 3차원(3D) 아키텍처 `zHBM`을 공개했습니다.

zHBM은 AI 가속기(xPU) 옆에 고대역폭메모리(HBM)를 연결하는 기존 방식에서 벗어나 AI 가속기 위에 HBM을 직접 적층하는 아키텍처입니다.

가로·세로(X·Y축)의 2차원에서 벗어나 3차원인 높이(Z축)를 활용했다는 의미에서 앞에 `z`를 붙였습니다.

이를 활용하면 가속기와 메모리 간의 데이터 이동 거리를 최소화해 데이터 병목 현상을 해결하고 대역폭·전력효율도 극대화할 수 있다는 것이 삼성의 설명입니다.

zHBM은 HBM의 차세대 제품인 HBM5와 비교하더라도 그래픽처리장치(GPU)당 성능이 최대 8배 향상되고, 전력 대비 성능도 최대 3배 개선됩니다.

발열 제어 측면에서도 열 저항 수치가 HBM5 대비 10∼25% 수준으로 낮아져 열 저항을 절반 이상 떨어뜨릴 수 있습니다.

함께 기조 발표에 나선 이진엽 플래시개발실 부사장은 기기내장형(온디바이스) AI 환경에 최적화한 차세대 낸드 설루션 `z낸드-O`(zNAND-O)를 선보였습니다.

z는 수직으로 쌓았다는 뜻으로, O는 `온디바이스`에 최적화했다는 의미로 붙인 이름입니다.

z낸드-O는 D램의 용량 부족과 기존 낸드의 낮은 대역폭 문제를 동시에 해결해 고용량, 고대역폭, 빠른 응답속도를 구현해 데이터 처리를 효과적으로 지원한다고 삼성은 설명했습니다.

삼성전자는 또 이날 기조연설에서 400단 이상을 수직 적층한 10세대 V낸드 `V10 BV-낸드`도 업계 최초로 공개했습니다.

삼성전자는 이들 3D 메모리를 기반으로 고성능 컴퓨팅과 AI 인프라 수요 증가에 대응하겠다는 계획입니다.


오디오ㅣAI앵커
제작ㅣ이 선

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